7nm工艺功耗降低35!高通5GSoC风险敞口

2021-11-07 12:57:55   编辑:常旭坚
导读新时代,高科技越来越发达。朋友们看了很多科技新闻。我们也应该在生活中使用很多这些高科技的东西。朋友要注意什么?今天,我想和大家分享

新时代,高科技越来越发达。朋友们看了很多科技新闻。我们也应该在生活中使用很多这些高科技的东西。朋友要注意什么?今天,我想和大家分享一条关于科技的知识。我希望你会喜欢它。

2月22日,三星官网近日宣布,高通未来5G移动芯片将基于三星7nm LPP技术打造,EUV(极紫外光刻)将引入这一技术节点。早在去年5月,三星就首次展示了7纳米LPP EUV工艺。这一次,它再次赢得了高通的大订单,这意味着三星的新工艺在产量上已经被很好地操纵,大规模生产将立即开始。

与目前的10纳米FinFET工艺相比,三星的7纳米LPP EUV工艺将芯片尺寸缩小了40%,性能提高了10%,功耗降低了35%。如果能再次提高CPU和GPU的频率,提升会相当可观。然而,与性能提升相比,我们对新技术在功耗方面的进步更感意外。旗舰机两天日常使用的好日子可能要来了!

三星表示,三星与高通的代工合作至少会持续10年,TSMC真的要哭了。下一代高通顶级移动平台基本确定是之前曝光的骁龙855。借助7nm LPP EUV技术,骁龙855手机将在机身内部提供更多可用空间,手机厂商可以在新机中放入更大的电池或采用更薄的机身设计。

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